Samsung Merevlemezek

Gyártói adatok a termékről: http://www.samsung.com/hu/memory-storage/850-evo-m-2-sata-3-ssd/MZ-N5E1T0BW/ Fajta SSD Kialakítás M.2 Modell MZ-N5E1T0BW Sorozat 850 EVO Tárolókapacitás 1TB Csatlakozási felület SATA 3 Átviteli sebesség 6

Egy SSD, amely mindent megváltoztat Tapasztald meg azt a megbízható teljesítményt, melyet a komplex munkafolyamatok és a számítógépes tervezések során is biztosít a Samsung 960 PRO SSD. A csúcsminőségű számítógépekhez és munkaállomásokhoz tervezett 960 PRO 48 rétegű Samsung V-NAND-alapú szerkezettel büszkélkedhet, amely a kompakt M.2 kivitelezésnek köszönhetően következő generációs teljesítményt nyújt.     Tapasztald meg a következő generációs SSD-t

A Maxtor M3 Portable külső merevlemezt könnyen magával viheti bárhova is megy, és hatalmas tárhellyel rendelkezik. . Termékjellemzők - Kényelmes hordozható adattárolás - SafetyKey adatvédelem . A doboz tartalma - M3 Portable külső merevlemez - USB kábel - Gyors telepítési útmutató - Lemezre előre telepített szoftver - Elektronikus felhasználói dokumentáció (PDF) . Teljesítményspecifikáció - SuperSpeed USB 3.0 (Max): 5.0Gb/s . Környezeti hőmérsékleti korlátok -

Mi a 3D V-NAND és miben különbözik a meglévő technológiáktól? A Samsung flash memória az innovatív 3D-s V-NAND technológián alapul, amely 32 cella réteget halmoz egymás tetejére, a cellák hosszának és szélességének csökkentése helyett annak érdekében, hogy illeszkedjen a mai egyre zsugorodó kivitelhez. Az eredmény nagyobb sűrűség és teljesítmény, kevesebb helyhasználat és valódi áttörés a hagyományos síkbeli NAND memóriák sűrűség-határértékének

Mi a 3D V-NAND és miben különbözik a meglévő technológiáktól? A Samsung flash memória az innovatív 3D-s V-NAND technológián alapul, amely 32 cella réteget halmoz egymás tetejére, a cellák hosszának és szélességének csökkentése helyett annak érdekében, hogy illeszkedjen a mai egyre zsugorodó kivitelhez. Az eredmény nagyobb sűrűség és teljesítmény, kevesebb helyhasználat és valódi áttörés a hagyományos síkbeli NAND memóriák sűrűség-határértékének

Technikai részletek: Méretek: 22 x 2,29 x 80 mm (Sz x H x D) Formátum és interfész: M.2 / M-Key 2280 (PCIe 3.0 x4, NVMe 1.1) Tömeg: 9 g Kapacitás: 512 GB Cache: 512 LPDDR3-1866 Controller: Samsung Polaris NAND: Samsung MLC 3D V-NAND (multi-level cell 48 réteg) Teljesítmény (PCIe 3.0): Olvasás: max. 3500 MB / s Írás: max. 2100 MB / s IOPS (4 KB véletlenszerű olvasási): 330.000 IOPS (4 KB Random Írj): 330000 Fogyasztás (készenléti / üzemi): 1.2 / 5.1 W Kompatibilitás (funkci

.Mi a 3D V-NAND és miben különbözik a meglévő technológiáktól? A Samsung flash memória az innovatív 3D-s V-NAND technológián alapul, amely 32 cella réteget halmoz egymás tetejére, a cellák hosszának és szélességének csökkentése helyett annak érdekében, hogy illeszkedjen a mai egyre zsugorodó kivitelhez. Az eredmény nagyobb sűrűség és teljesítmény, kevesebb helyhasználat és valódi áttörés a hagyományos síkbeli NAND memóriák sűrűség-határértékéne

.Mi a 3D V-NAND és miben különbözik a meglévő technológiáktól? A Samsung flash memória az innovatív 3D-s V-NAND technológián alapul, amely 32 cella réteget halmoz egymás tetejére, a cellák hosszának és szélességének csökkentése helyett annak érdekében, hogy illeszkedjen a mai egyre zsugorodó kivitelhez. Az eredmény nagyobb sűrűség és teljesítmény, kevesebb helyhasználat és valódi áttörés a hagyományos síkbeli NAND memóriák sűrűség-határértékéne

SSD M.2 Samsung 960 PRO NVMe - 2TB - MZ-V6P2T0BW

.Mi a 3D V-NAND és miben különbözik a meglévő technológiáktól? A Samsung flash memória az innovatív 3D-s V-NAND technológián alapul, amely 32 cella réteget halmoz egymás tetejére, a cellák hosszának és szélességének csökkentése helyett annak érdekében, hogy illeszkedjen a mai egyre zsugorodó kivitelhez. Az eredmény nagyobb sűrűség és teljesítmény, kevesebb helyhasználat és valódi áttörés a hagyományos síkbeli NAND memóriák sűrűség-határértékéne

Mi a V-NAND és miben különbözik a meglévő technológiáktól? A Samsung flash memória az innovatív 3D-s V-NAND technológián alapul, amely 32 cella réteget halmoz egymás tetejére a cellák hosszának és szélességének csökkentése nélkül annak érdekében, hogy illeszkedjen a mai egyre zsugorodó kivitelhez. Az eredmény nagyobb sűrűség és teljesítmény, kevesebb helyhasználat és valódi áttörés a hagyományos síkbeli NAND memóriák sűrűség-határértékének lek

.Mi a 3D V-NAND és miben különbözik a meglévő technológiáktól? A Samsung flash memória az innovatív 3D-s V-NAND technológián alapul, amely 32 cella réteget halmoz egymás tetejére, a cellák hosszának és szélességének csökkentése helyett annak érdekében, hogy illeszkedjen a mai egyre zsugorodó kivitelhez. Az eredmény nagyobb sűrűség és teljesítmény, kevesebb helyhasználat és valódi áttörés a hagyományos síkbeli NAND memóriák sűrűség-határértékéne

• 500 GB
• Hordozható
• 16 MB
• USB 3.0 csatlakozós
• Külső
• 5 400 fordulat/perc
• 2,5 inch átmérőjű

.Mi a 3D V-NAND és miben különbözik a meglévő technológiáktól? A Samsung flash memória az innovatív 3D-s V-NAND technológián alapul, amely 32 cella réteget halmoz egymás tetejére, a cellák hosszának és szélességének csökkentése helyett annak érdekében, hogy illeszkedjen a mai egyre zsugorodó kivitelhez. Az eredmény nagyobb sűrűség és teljesítmény, kevesebb helyhasználat és valódi áttörés a hagyományos síkbeli NAND memóriák sűrűség-határértékéne

Samsung 850 EVO MZ-75E250B/EU 250 GB SATA 2,5" gyári új laptop SSD. Olvasás: 540 MB/s, írás: 520 MB/s.

• Megnevezés: 850 EVO • Gyártó: Samsung • Tárolókapacitás: 500GB • Csatoló: Sata III • Méret (col): 2,5 • Szekvenciális olvasás (Mbps): 540 • Szekvenciális írás (Mbps): 520 • Garancia: 3 év

MZ-75E4T0B/EU Samsung 850 EVO MZ-75E4T0 - Solid state drive encrypted 4 TB internal 2.5" SATA 6Gb/s buffer: 4 GB 256-bit AES Self-Encrypting Drive (SED) TCG Opal Encryption 2.0 Samsung 4TB 850EVO. Solid-state drive capacity: 4000 GB, Solid-state drive interface: Serial ATA III, Read speed: 540 MB/s. SSD form factor: 2.5", Colour of product: Black. Power consumption (average): 4.7 W, Power consumption (max): 7.2 W. Width: 100 mm, Depth: 6.8 mm, Height: 69.8

Mi a V-NAND és miben különbözik a meglévő technológiáktól? A Samsung flash memória az innovatív 3D-s V-NAND technológián alapul, amely 32 cella réteget halmoz egymás tetejére a cellák hosszának és szélességének csökkentése nélkül annak érdekében, hogy illeszkedjen a mai egyre zsugorodó kivitelhez. Az eredmény nagyobb sűrűség és teljesítmény, kevesebb helyhasználat és valódi áttörés a hagyományos síkbeli NAND memóriák sűrűség-határértékének lek